強誘電体メモリ

Ferroelectric Random Access Memory
FeRAMとも。
ヒステリシスによる残留分極を0と1に割り当てたメモリのことである。
DRAM程度の能力を期待されている。

メモ

- FeRAM
DRAMと同じ構造。
破壊読み出し。
- FeFET
NANDフラシュに近い
FETのゲート酸化膜に利用して機能を強化、拡張できる
NCFET(負性容量トランジスタ)でSS(サブスレッショルド)値を小さくできる
多値化が可能
書き換え可能回数に課題
- FTJ
占有面積が小さい
高速書き込みが可能
セレクタ不要のクロスバー構造にできる
非破壊読み出し
多値化が可能
実績に乏しい

ソニーセミコンダクタソリューションズのFeRAM
MFM構造(金属-強誘電体-金属)において、MはTiN、FはHf0.5Zr0.5O2を用いる
SRAMよりも集積度が高い、消費電力が少ない、リーク電流が少ない、書き換え回数が従来のFeFETよりも多いなどのメリットがある。
LLC(Last Level Cache)(いわゆる3次キャッシュ)にギリギリ使える
書き換え回数は10^11回以上、書き換え時間は最短14ns