メモ

下書きとか、どこにまとめていいか謎な知識を書いています。

ディラック方程式

シュレディンガー方程式を特殊相対論の要請を満足するように修正した方程式である。
ここから電子がスピンという概念を持つことなどが導出される。(らしい。)

シリコン貫通ビア

TSV:Through Silicon Via 一般のチップはワイヤーボンディングによって各電極と接続されているが、このTSVは直接ビアが端子と結びついたもの。
TSVのメリット
・高周波特性
ワイヤーボンディングではワイヤ長が長くなり高周波特性が悪化していたが、TSV技術を用いることにより数十GHz程度でも使用できるようになった。
・高密度化と小型化
ワイヤーボンディングの実装面積が狭くなるため、パッケージが小型化できる。
・消費電力の低減
配線長が短くなるため、電力低減に寄与する。

サブスレッショルド係数

トランジスタのOn/Offの急峻さ

負性容量FET(NCFET:Negative-Capacitance FET)

強誘電薄膜をゲート酸化膜に用いる。強誘電体には容量が負になる状態が存在し、通常は不安定で実現されないが、MOSFETの構造では安定化できる。
強誘電体であるハフニウム酸化薄膜(HfO2)を用いてNCFETを作ることもできる。

LK方程式

LK:Landau Khakatniknov
強誘電性の動特性を記述する方程式

SRAM,DRAM,フラッシュ,ディスクメモリ

SRAMには通常、読み出し書き込みを行うためのアクセスポートが1つだけ備えられている。
SRAMのアクセス時間はいかなるデータでも一定である。ただし読み出し時間と書き込み時間は異なる事がある。
SRAMはリフレッシュをする必要はない。

ユニバーサルメモリ

半導体メモリを置き換えられる次世代的なメモリを指す。
理想的な仕様としては、DRAMと同程度の速度、不揮発性、書き換え回数無限大、記憶容量あたりのコストはNANDよりも低い程度。
Fast,Dense,Non-volatile

微分方程式の分類

微分方程式の分類

単語

• サイジング(sizing)
大きさを調整すること。一般的に、状況に応じて適切な規模にすることを指すことが多い。 ダウンサイジングは、サイズを小さくすることを指す。
• トライステート回路(tri-state circuit)
出力としてH,Lの他にHi-Zを持つ論理回路のこと。
• VFF
Volatile Flip-Flopのこと。VVFかと思った。
• インバー合金
鉄、ニッケル、マンガンなどの合金。強磁性体同士の合金でありながら常磁性体である。一般的に特筆するべきことは熱膨張率が小さいことである。標準尺などに使われていた。1920年にギョームがノーベル物理学賞を受賞してる。インバーはInvariable(変化しない)より。
• ホイスラー合金
Cu-Mn-Al合金。強磁性物質を含んでいないが、熱処理を行うことで強磁性を示す。単純に理論のほうで興味がもたれているらしい。 ハーフメタルホイスラー磁気抵抗素子が実用化されるかもっていうので見た。
• 歳差運動
回転体の回転軸がゆっくりと方向を変えていく運動のこと。 今回はラーモア歳差運動とかの話。外部磁場を受けて磁気モーメントが歳差運動を起こす現象。トルクは磁気モーメントと外部磁場の外積っていう結構直感的にわかる式。普通に、天体の方しか知らなかった。
• クロスカップルインバータ
SRAMみたいにインバータをループ状に配置したもののこと。
• ダブルアクセプタ
ドーピングする元素(不純物元素)が2価の元素の場合は、ホール2個を束縛しているアクセプタができる。このアクセプタのこと。
• チョクラルスキー法
ミョウバンの結晶を生成する方法とほとんど同義。自然に成長させるか、回転して引き上げるかの違い。
• シリコンダイ
半導体チップの製造工程で、さいの目状に切り分けて得られた一枚一枚のチップのこと。
• 単チャネルインバータ
nMOS,pMOS一つのみでできたインバータのことである。対義語としてCMOSインバータがある。
• SOI
Silicon on Insulatorの略 一般のCMOSでは、トランジスタが導電性の基板もしくはウェルタップ上に形成されるが、このSOIは絶縁体である酸化膜で囲まれたものを指す。 これにより拡散領域の寄生容量を排除することができる。 高性能かつ低消費電力であるが、製造コストが高いことや回路設計が複雑になるという問題がある。

調べること

• FIM
• ラッシュバ効果
• Simmonsモデル
• Brinkmanモデル
• 磁気バブル
• BiCMOS
• write distrubrance
• 二重拡散型MOSFET
• 電子ドリフト
• オレンジピール結合
• SOTBプロセス技術
• Aspla90
• シャント(電気)
• NBTI(Negative Bias Temperature Instability)
• レジリエントキャッシュ
• QoB SRAM
• フェルミディラック統計
• 有機薄膜トランジスタ(TFT:Thin-Film Transistor)
• 強誘電ドメイン効果
• SiliconSmart
• FineSim
• WinSCP
• NFS